產(chǎn)品樣本應(yīng)用文章
逆共析轉(zhuǎn)變是高溫下進(jìn)行的擴(kuò)散性相變，轉(zhuǎn)變的全過程可以分為四個(gè)階段，即：奧氏體形核，奧氏體晶核長(zhǎng)大，剩余滲碳體溶解，奧氏體成分相對(duì)均勻化。各種鋼的奧氏體形核形成過程有一些區(qū)別，亞共析鋼、過共析鋼、合金鋼的奧氏體化過程中除了奧氏體形成的基本過程外，還有先共析相的溶解、合金碳化物的溶解等過程。 奧氏體形成的熱力學(xué)條件：必須存在過冷度或過熱度?T。 1. 奧氏體形核 奧氏體的形核位置通常在鐵素體和滲碳體兩相界面上，此外，珠光體領(lǐng)域的邊界，鐵素體嵌鑲塊邊界都可以成為奧氏體的形核地點(diǎn)。奧氏體的形成是不均勻形核，復(fù)合固態(tài)相變的一般規(guī)律。 一般認(rèn)為奧氏體在鐵素體和滲碳體交界面上形核。這是由于鐵素體碳含量極低(0.02%以下)，而滲碳體的碳含量又很高(6.67%)，奧氏體的碳含量介于兩者之間。在相界面上碳原子有吸附，含量較高，界面擴(kuò)散速度又較快，容易形成較大的濃度漲落，使相界面某一區(qū)域達(dá)到形成奧氏體晶核所需的碳含量；此外在界面上能量也較高，容易造成能量漲落，以便滿足形核功的要求；在兩相界面處原子排列不規(guī)則，容易滿足結(jié)構(gòu)漲落的要求。所有漲落在相界面處的優(yōu)勢(shì)，造成奧氏體晶核最容易在此處形成。 奧氏體的形核是擴(kuò)散型相變，可在鐵素體與滲碳體上形核，也可在珠光體領(lǐng)域的交界面上形核，還可以在原奧氏體晶核上形核。這些界面易于滿足形核的能量、結(jié)構(gòu)和濃度3個(gè)漲落條件。 2. 奧氏體晶核的長(zhǎng)大 加熱到奧氏體相區(qū)，在高溫下，碳原子擴(kuò)散速度很快，鐵原子和替換原子均能夠充分?jǐn)U散，既能夠進(jìn)行界面擴(kuò)散，也能夠進(jìn)行體擴(kuò)散，因此奧氏體的形成是擴(kuò)散型相變。 3. 剩余碳化物溶解 鐵素體消失后，在t1溫度下繼續(xù)保持或繼續(xù)加熱時(shí)，隨著碳在奧氏體中繼續(xù)擴(kuò)散，剩余滲碳體不斷向奧氏體中溶解。 4. 奧氏體成分均勻化 當(dāng)滲碳體剛剛?cè)咳谌電W氏體后，奧氏體內(nèi)碳濃度仍是不均勻的，只有經(jīng)歷長(zhǎng)時(shí)間的保溫或繼續(xù)加熱，讓碳原子急性充分的擴(kuò)散才能獲得成分均勻的奧氏體。 意大利GNR公司是一家老牌的歐洲光譜儀生產(chǎn)商，其X射線產(chǎn)品線誕生于1966年，經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的開發(fā)和研究，該產(chǎn)品線已經(jīng)擁有眾多型號(hào)滿足多個(gè)行業(yè)的分析需求。ARE X 為專用的殘余奧氏體分析儀，無需依靠 搭載模塊在常規(guī)XRD上 實(shí)現(xiàn)殘余奧氏體測(cè)試，具有操作簡(jiǎn)便、檢測(cè)速度快、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確等特點(diǎn)，對(duì)操作人員要求不高，做到輕松上手。
1. 射線管位置及檢測(cè)器位置固定，在保證測(cè)試快速的同時(shí)，可有效減少維護(hù)區(qū)域。2. 專業(yè)高清USB攝像機(jī)安裝在GNR ARE X系統(tǒng)內(nèi)部，輔助對(duì)齊樣品所測(cè)試區(qū)域。3. 提供多種不同規(guī)格的樣品架以匹配不同形狀的樣品。4. 一旦樣品載入樣品架，關(guān)閉艙門，激光自動(dòng)測(cè)量樣品表面位置，可通過連接到Z臺(tái)的旋鈕手動(dòng)校準(zhǔn)。意大利GNR公司是一家老牌的歐洲光譜儀生產(chǎn)商，其X射線產(chǎn)品線誕生于1966年，經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的開發(fā)和研究，該產(chǎn)品線已經(jīng)擁有眾多型號(hào)滿足多個(gè)行業(yè)的分析需求。ARE X 為專用的殘余奧氏體分析儀，無需依靠 搭載模塊在常規(guī)XRD上 實(shí)現(xiàn)殘余奧氏體測(cè)試，具有操作簡(jiǎn)便、檢測(cè)速度快、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確等特點(diǎn)，對(duì)操作人員要求不高，做到輕松上手。
1. X射線管靶材及功率條件 功率條件取決于作為目標(biāo)材料和焦點(diǎn)類型的射線管。盡管Cu靶廣泛用于衍射（特別是多用途衍射儀），但不建議使用Cu靶進(jìn)行殘余奧氏體分析，因?yàn)殍F基材料的熒光很強(qiáng)（可以使用Cu靶，但需要從衍射光束中去除熒光）。 因此，可以使用Mo、Cr或Co來避免熒光，然后實(shí)現(xiàn)較低的背景。ASTM指出，推薦選擇是Cr或Mo，這取決于是否需要獲得更好的分辨率（Cr）或是否需要收集盡可能多的峰（Mo）以盡量減少樣品問題（樣品的不均勻性或織構(gòu)）。 此外，Mo靶的輻射能量更高，也能使吸收效應(yīng)zui小化，從而獲得更高的計(jì)數(shù)率。 因此，Mo靶是殘余奧氏體測(cè)試的優(yōu)選，我們選擇它來裝配到ARE X殘余奧氏體分析儀。 至于推薦功率，它取決于輻射能量，因此Mo>Co>Cr。 2. Mo靶與Cr靶實(shí)際測(cè)試對(duì)比 對(duì)于殘余奧氏體的XRD測(cè)量，可以使用任何能夠記錄至少2個(gè)α鐵峰和2個(gè)γ鐵峰的輻射靶才行，它可以是Cr、Mo，甚至Co。 如下所示，使用Mo靶相較Cr靶而言還有其他優(yōu)勢(shì)，比如使用Cr靶的測(cè)試誤差要大于Mo靶。 使用Cr靶的優(yōu)勢(shì)是它可能具有更好的峰分辨率，因?yàn)榉灞舜讼嗑嗪苓h(yuǎn)。但是，如果使用當(dāng)前的快速檢測(cè)器，這并無太大實(shí)際意義。所以對(duì)于ARE X殘余奧氏體分析儀仍然推薦使用Mo靶。 意大利GNR公司是一家老牌的歐洲光譜儀生產(chǎn)商，其X射線產(chǎn)品線誕生于1966年，經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的開發(fā)和研究，該產(chǎn)品線已經(jīng)擁有眾多型號(hào)滿足多個(gè)行業(yè)的分析需求。ARE X 為專用的殘余奧氏體分析儀，無需依靠搭載模塊在常規(guī)XRD上實(shí)現(xiàn)殘余奧氏體測(cè)試，具有操作簡(jiǎn)便、檢測(cè)速度快、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確等特點(diǎn)，對(duì)操作人員要求不高，做到輕松上手。
1.用于殘余奧氏體分析儀的樣品必須經(jīng)過切割，將熱效應(yīng)降至低值，由于大多數(shù)含有殘余奧氏體的鋼鐵比較堅(jiān)硬，所以需要使用砂輪切割片磨削樣品，如果樣品不進(jìn)行適當(dāng)?shù)睦鋮s，砂輪片存在嚴(yán)重的熱效應(yīng)，可能導(dǎo)致樣品本身的殘余奧氏體發(fā)生改變。與采用鋼鋸切割比較，更建議使用砂輪切割。 2.樣品粗模式時(shí)需要使用銑床或高壓輥磨機(jī)，此種處理方法會(huì)改變表面形狀和殘余奧氏體，使得體內(nèi)殘余奧氏體含量高于表面殘余奧氏體含量，在樣品打磨時(shí)將樣品切成小塊，可以有效的解決形變和殘余奧氏體變化。 3.殘余奧氏體分析儀需要使用標(biāo)準(zhǔn)金相濕磨和拋光的方法，需要使用粒徑為80#、120#、240#、320#、400#、600#的碳化硅或氧化鋁的細(xì)砂紙，其它材質(zhì)或粒徑的砂紙也可能用到，最后使用6um金剛石或當(dāng)量粒徑的磨料進(jìn)行拋光。 4.由于砂紙或過度 拋光引起的表面變形，可以改變樣品內(nèi)的殘余奧氏體，在在初級(jí)的樣品拋光時(shí)也可以采用電解和化學(xué)拋光，用來保證金相級(jí)樣品制備。采用標(biāo)準(zhǔn)醋酸鉻溶液進(jìn)行電解拋光至0.005-in，使用600#的砂紙或特定的化學(xué)電解液將鋼鐵拋光至6um，可以保證金相級(jí)樣品制備，熱酸刻蝕拋光不推薦使用，在有選擇的刻蝕某相時(shí)，此項(xiàng)變?yōu)閮?yōu)先取向。 5.根據(jù)樣品尺寸選擇合適的樣品臺(tái)，保證X射線束能在樣品上進(jìn)行2theta衍射。 意大利GNR公司是一家老牌的歐洲光譜儀生產(chǎn)商，其X射線產(chǎn)品線誕生于1966年，經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的開發(fā)和研究，該產(chǎn)品線已經(jīng)擁有眾多型號(hào)滿足多個(gè)行業(yè)的分析需求。ARE X 為專用的殘余奧氏體分析儀，無需依靠搭載模塊在常規(guī)XRD上實(shí)現(xiàn)殘余奧氏體測(cè)試，具有操作簡(jiǎn)便、檢測(cè)速度快、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確等特點(diǎn)，對(duì)操作人員要求不高，做到輕松上手。
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